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中国科学院昆明植物研究所知识管理系统
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Bipolar resistive switching memory behaviors of the micro-size composite particles
期刊论文
COMPOSITE STRUCTURES, 2017, 卷号: 166, 页码: 177-183
作者:
Zhou, Guangdong
;
Sun, Bai
;
Liu, Xiaoqing
;
Wu, Bo
;
Zhang, Shuangju
;
Zhou, Ankun
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提交时间:2017/06/01
Resistive Switching Memory
Silicates Composite Particles
Visible Light-controlled
Mechanism for an enhanced resistive switching effect of bilayer NiOx/TiO2 for resistive random access memory
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 722, 页码: 753-759
作者:
Zhou,Guangdong
;
Xiao,Lihua
;
Zhang,Shuangju
;
Wu,Bo
;
Liu,Xiaoqin
;
Zhou,Ankun
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提交时间:2017/10/23
Electric-field
Devices
Bipolar
Films
Heterostructures
Transition
Behaviors
Filament
Matrix
Cells
Bilay Niox/tio2 Films
Resistive Switching Memory
Migration Of Oxygen Vacancy
Ag Conduction Filamens
Two-bit memory and quantized storage phenomenon in conventional MOS structures with double-stacked Pt-NCs in an HfAlO matrix
期刊论文
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2016, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 6509-6514
作者:
Zhou, Guangdong
;
Wu, Bo
;
Liu, Xiaoqin
;
Li, Ping
;
Zhang, Shuangju
;
Sun, Bai
;
Zhou, Ankun
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提交时间:2016/06/27
Resistance switching characteristics of coreeshell gamma-Fe2O3/Ni2O3 nanoparticles in HfSiO matrix
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 678, 页码: 31-35
作者:
Zhou,Guangdong
;
Wu,Bo
;
Liu,Xiaoqin
;
Li,Zhiling
;
Zhang,Shuangju
;
Zhou,Ankun
;
Yang,Xiude
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提交时间:2017/07/11